薄膜沉积是在半导体的主要衬底材料上镀一层膜。这层膜可以有各种各样的材料，比如绝缘化合物二氧化硅，半导体多晶硅、金属铜等。从半导体芯片制作工艺流程来说，位于前道工艺中。
薄膜制备工艺按照其成膜方法可分为三大类：
从沉积效果看，相比于 ALD 技术，PVD 技术生长机理简单，沉积速率高，但一般只适用于平面的膜层制备；CVD 技术的重复性和台阶覆盖性比 PVD 略好，但是工艺过程中影响因素较多，成膜的均匀性较差，并且难以精确控制薄膜厚度。
根据实际芯片加工结构、加工材料与厚度需求差异，使用工艺亦有差别：
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